Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
|
|
| Creator |
Ёдгорова, Д.М.
Каримов, А.В. Гиясова, Ф.А. Саидова, Р.А. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Предлагаемые способ и устройство предназначены для создания многослойных полупроводниковых приборов различного спектрального диапазона, а также структур на основе арсенидгаллиевых соединений.
|
|
| Date |
2014-01-07T19:13:44Z
2014-01-07T19:13:44Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵ / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 56-58. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52817 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|