Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
|
|
| Creator |
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н. Нетяга, В.В. Заслонкин, А.В. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Фотоэлектрические измерения параметров гетероперехода n-InSe-p-FeIn₂Se₄ свидетельствуют о возможности получения качественных p-n-переходов.
|
|
| Date |
2014-01-08T18:56:26Z
2014-01-08T18:56:26Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена / З.Д. Ковалюк, В.Н Катеринчук.,В.В. Нетяга, А.В. Заслонкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 43-45. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52876 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|