Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева, Ш.Ш. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.
|
|
| Date |
2014-01-14T23:12:25Z
2014-01-14T23:12:25Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|