Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
|
|
| Creator |
Иванов, В.Н.
Ковтонюк, В.М. Николаенко, Ю.Е. |
|
| Subject |
Техника и технологии СВЧ
|
|
| Description |
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
|
|
| Date |
2014-01-18T20:16:03Z
2014-01-18T20:16:03Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53248 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|