Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
|
|
| Creator |
Ёдгорова, Д.М.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
|
|
| Date |
2014-01-18T21:53:43Z
2014-01-18T21:53:43Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|