Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
|
|
| Creator |
Ковтун, Г.П.
Щербань, А.П. |
|
| Subject |
Техническая политика
|
|
| Description |
Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.
|
|
| Date |
2014-01-19T22:01:17Z
2014-01-19T22:01:17Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53387 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|