Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
|
|
| Creator |
Джафарова, Э.А.
|
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.
|
|
| Date |
2014-01-19T22:24:21Z
2014-01-19T22:24:21Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|