Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
|
|
| Creator |
Балицкий, А.А.
|
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe получена структура многокомпонентного состава с присутствием незначительной части металлического кадмия.
|
|
| Date |
2014-01-22T22:11:16Z
2014-01-22T22:11:16Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах / А.А. Балицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре.— 2005.— № 2.— С. 59-61.— Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53557 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|