Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
|
|
| Creator |
Ковтун, Г.П.
Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Установлено существование оптимального значения теплопроводности, при котором достигается наиболее равномерное распределение модуля температурного градиента на фронте кристаллизации.
|
|
| Date |
2014-01-22T23:08:44Z
2014-01-22T23:08:44Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 3. — С. 5-7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53564 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|