Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
|
|
| Creator |
Войцеховский, А.В.
Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.
|
|
| Date |
2014-01-25T11:07:42Z
2014-01-25T11:07:42Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|