Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
|
|
| Creator |
Баранов, В.В.
|
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Показаны возможности повышения технологичности МОП-транзисторов, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов.
|
|
| Date |
2014-01-25T12:51:16Z
2014-01-25T12:51:16Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами / В.В. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 42-46. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53630 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|