Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
|
|
| Creator |
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н. Политанская, О.А. Сидор, О.Н. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Исследования гетероструктур p-n-InSe и окисел-p-InSe после облучения в дозах 10-300 Р показали, что InSe-диоды отвечают требованиям радиационной стойкости.
|
|
| Date |
2014-01-25T12:54:26Z
2014-01-25T12:54:26Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.А. Политанская, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 5. — С. 47-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53631 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|