Запис Детальніше

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
 
Creator Ижнин, И.И.
Вакив, Н.М.
Ижнин, А.И.
Сыворотка, И.М.
Убизский, С.Б.
 
Subject Функциональная микро- и наноэлектроника
 
Description Разработан макетный образец монолитного твердотельного микрочипового лазера с пассивной модуляцией добротности па основе Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ с применением метода жидкофазной эпитаксии.
 
Date 2014-01-25T21:05:42Z
2014-01-25T21:05:42Z
2005
 
Type Article
 
Identifier Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr⁺⁴:АИГ / И.И. Ижнин, Н.М. Вакив, А.И. Ижнин, И.М. Сыворотка, С.Б. Убизский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 30-32. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53680
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України