Запис Детальніше

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
 
Creator Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П.
Федорович, О.А.
Болтовец, Н.С.
Иванов, В.Н.
Свешников, Ю.Н.
 
Subject Технологические процессы и оборудование
 
Description Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
 
Date 2014-01-25T21:21:15Z
2014-01-25T21:21:15Z
2005
 
Type Article
 
Identifier Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України