Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
|
|
Creator |
Борисенко, А.Г.
Полозов, Б.П. Федорович, О.А. Болтовец, Н.С. Иванов, В.Н. Свешников, Ю.Н. |
|
Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
Description |
Описаны особенности технологии травления сложных наноструктур, содержащих эпитаксиальные слои нитрида галлия, нанесенные на подложки из сапфира. Изготовлены высокотемпературные датчики Холла.
|
|
Date |
2014-01-25T21:21:15Z
2014-01-25T21:21:15Z 2005 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия / А.Г. Борисенко, Б.П. Полозов, О.А. Федорович, Н.С. Болтовец, В.Н. Иванов, Ю.Н. Свешников // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 42-46. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53683 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|