Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si
|
|
| Creator |
Искендер-заде, З.А.
Ахундов, М.Р. Джафарова, Э.А. Алиханова, Ш.А. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.
|
|
| Date |
2014-01-27T18:32:20Z
2014-01-27T18:32:20Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si / З.А. Искендер-заде, М.Р. Ахундов, Э.А. Джафарова, Ш.А. Алиханова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 2. — С. 59-61. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53803 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|