Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
|
|
Creator |
Абызов, А.С.
Ажажа, В.М. Давыдов, Л.Н. Ковтун, Г.П. Кутний, В.Е. Рыбка, А.В. |
|
Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
Description |
На основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.
|
|
Date |
2014-02-01T21:19:48Z
2014-02-01T21:19:48Z 2004 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/54419 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|