Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
|
|
| Creator |
Ковтун, Г.П.
Кравченко, А.И. Кондрик, А.И. Щербань, А.П. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Лучшие результаты достигаются при боковом варианте нагрева тигля, выбором мощности дополнительного нагревателя, а также применением теплового экранирования кристалла и флюса.
|
|
| Date |
2014-02-15T18:11:13Z
2014-02-15T18:11:13Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского / Г.П. Ковтун, А.И. Кравченко, А.И. Кондрик, А.П. Щербань // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56290 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|