Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
|
|
Creator |
Власенко, А.И.
Власенко, З.К. |
|
Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
Description |
Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения.
|
|
Date |
2014-02-15T18:13:23Z
2014-02-15T18:13:23Z 2004 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe / А.И. Власенко, З.К. Власенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 6. — С. 7-10. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56291 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|