Запис Детальніше

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
 
Creator Пилипенко, В.А.
Горушко, В.А.
Петлицкий, А.Н.
Понарядов, В.В.
Турцевич, А.С.
Шведов, С.В.
 
Subject Технологические процессы и оборудование
 
Description Увеличение степени интеграции элементной базы предъявляет все более жесткие требования к уменьшению концентрации загрязняющих примесей и окислительных дефектов упаковки в исходных кремниевых пластинах с ее сохранением в технологическом цикле изготовления ИМС. Это обуславливает высокую актуальность применения геттерирования в современной технологии микроэлектроники. В статье рассмотрены существующие методы геттерирования кремниевых пластин и механизмы их протекания.
Збільшення ступеня інтеграції елементної бази пред'являє все більш жорсткі вимоги до зменшення концентрації забруднюючих домішок та окислювальних дефектів упаковки у вихідних кремнієвих пластинах за її збереження у технологічному циклі виготовлення ІМС. Це обумовлює високу актуальність застосування гетерування в сучасній технології мікроелектроніки. Розглянуто існуючі методи гетерування кремнієвих пластин та розглянуто механізми їх перебігу.
Increasing the degree of integration of hardware components imposes more stringent requirements for the reduction of the concentration of contaminants and oxidation stacking faults in the original silicon wafers with its preservation in the IC manufacturing process cycle. This causes high relevance of the application of gettering in modern microelectronic technology. The existing methods of silicon wafers gettering and the mechanisms of their occurrence are considered.
 
Date 2014-02-15T23:26:31Z
2014-02-15T23:26:31Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем / В.А. Пилипенко, В.А. Горушко, А.Н. Петлицкий, В.В. Понарядов, А.С. Турцевич, С.В. Шведов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 43-57. — Бібліогр.: 72 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56320
539.2/6:539.216.1
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України