Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
|
|
Creator |
Кукла, А.Л.
Лозовой, С.В. Павлюченко, А.С. Нагибин, С.Н. |
|
Subject |
Метрология. Стандартизация
|
|
Description |
Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродная конфигурация датчика. Показано, что по параметрам точности, воспроизводимости и стабильности измерений электроды удовлетворяют требованиям типовых применений.
Досліджено напівпровідникові первинні електроди на основі подвійних рН-чутливих польових транзисторів при роботі як в режимі визначення величини рH досліджуваних розчинів, так і в диференціальному режимі вимірювання сенсорних відгуків. Для вимірювання відгуків реалізовано спрощену трьохелектродну конфігурацію датчика. Показано, що за параметрами точності, відтворюваності та стабільності вимірювань електроди задовольняють вимогам типових застосувань. Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been implemented for these purposes. It is shown that such parameters as accuracy, repeatability and stability of developed sensors satisfy necessary requirements for typical laboratory applications. |
|
Date |
2014-02-15T23:36:13Z
2014-02-15T23:36:13Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов / А.Л. Кукла, С.В. Лозовой, А.С. Павлюченко, С.Н. Нагибин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 61-68. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/56322 621.382.323; 621.315.592.4 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|