Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
|
|
| Creator |
Моллаев, А.Ю.
|
|
| Description |
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–400 K.
На базових зразках CdGeAs2, CdGeP2 і високотемпературних феромагнітних напівпровідниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 і Cd1–хMnхGeP2 в апараті високого тиску типу «тороїд» зміряно баричні (до 9 GPa) і температурні залежності питомого електроопору ρ, коефіцієнта Хола RH при 77–400 K. Baric (up to 9 GPa) and temperature dependences of resistivity ρ, Hall coefficient RH in the 77–400 K temperature range have been measured on base samples CdGeAs2, CdGeP2 and high-temperature ferromagnetic semiconductors Cd1–xMnxGeAs2, Cd1–xCrxGeAs2 and Cd1–xMnxGeP2 in a high-pressure device of «thoroid» type. |
|
| Date |
2014-10-06T18:47:28Z
2014-10-06T18:47:28Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 62.50.+p, 72.20.–i http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69158 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
| Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|