Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
|
|
Creator |
Тягур, Ю.И.
Тягур, И.Ю. |
|
Description |
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa.
Досліджено залежності електричного опору R від тиску p кристалів Sn₂P₂S₆ біля точки фазового переходу p ≈ 0.2 GPa при фіксованих температурах. Dependences of the electrical resistance R on pressure p have been investigated for crystals of Sn₂P₂S₆ under fixed temperatures near the phase transition pressure p ≈ 0.2 GPa. |
|
Date |
2014-10-10T19:06:27Z
2014-10-10T19:06:27Z 2010 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 62.50.+p, 74.62.Fj, 77.84.–s http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69312 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|