Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
|
|
Creator |
Надточий, В.А.
Уколов, А.И. Нечволод, Н.К. |
|
Description |
Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.
Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла. The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique. |
|
Date |
2014-10-16T16:55:02Z
2014-10-16T16:55:02Z 2012 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|