Запис Детальніше

Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии
 
Creator Надточий, В.А.
Уколов, А.И.
Нечволод, Н.К.
 
Description Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомных структур, свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.
Досліджено явище низькотемпературної дифузії в Ge уздовж спрямованих на поверхню дислокаційних напівпетель при створенні градієнтів під дією деформації згинання або стискання. Показано можливість утворення на поверхні низькорозмірних атомних структур, властивості яких вивчено за методами атомно-силової мікроскопії та раманівської спектроскопії комбінаційного розсіювання світла.
The phenomenon of low-temperature diffusion in Ge along dislocation semi-loops emerging on the surface at creation of stress gradients under the deformation of bend or compression was investigated. Possibility of creation of low-dimensional atomic structure on the surface is shown. Their properties are studied by atomic force microscopy and Raman spectroscopy technique.
 
Date 2014-10-16T16:55:02Z
2014-10-16T16:55:02Z
2012
 
Type Article
 
Identifier Формирование наноструктур в Gе при условии дислокационно-поверхностной диффузии / В.А. Надточий, А.И. Уколов, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2012. — Т. 22, № 3. — С. 54-62. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.
0868-5924
PACS: 81.10.Aj, 64.60.Qb, 66.30.Fq
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69559
 
Language ru
 
Relation Физика и техника высоких давлений
 
Publisher Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України