Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия
|
|
| Creator |
Гаджиалиев, М.М.
Пирмагомедов, З.Ш. Эфендиева, Т.Н. |
|
| Description |
Исследована вольт-амперная характеристика (ВАХ) гетероструктуры (ГС) n-GaAs–p-Ge при гидростатическом давлении до 8 GPa при комнатной температуре. По результатам экспериментальных данных найдено, что барический коэффициент дна зоны проводимости арсенида галлия γC1 равен 120 meV/GPa.
Досліджено вольт-амперну характеристику (ВАХ) гетероструктури (ГС) n-GaAs–p-Ge при гідростатичному тиску до 8 GPa при кімнатній температурі. За результатами експериментальних даних знайдено, що баричний коефіцієнт дна зони провідності арсеніда галія γC1 дорівнює 120 meV/GPa. The current voltage characteristic of the n-GaAs–p-Ge heterostructure (HS) was measured at room temperature and the pressure up to 8 GPa for the purpose of determining dependences of GaAs conduction band bottom on the hydrostatic pressure. |
|
| Date |
2014-10-18T15:13:06Z
2014-10-18T15:13:06Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Экспериментальное определение барического коэффициента края зоны проводимости арсенида галлия / М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов, Т.Н. Эфендиева // Физика и техника высоких давлений. — 2014. — Т. 24, № 1. — С. 80-83. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 71.20.Nr http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69691 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
| Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|