Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл
|
|
| Creator |
Хачатурова, Т.А.
Белоголовский, М.А. Хачатуров, А.И. |
|
| Description |
Показано, что использование двухзонного приближения для электронной структуры изолирующего слоя позволяет объяснить аномальную W-образную форму барьерных характеристик туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл. Предложены и обсуждаются туннельные эксперименты при высоких давлениях, которые позволят однозначно ответить на вопрос о соответствии особенностей туннельного спектра деталям зонной структуры полупроводниковых электродов.
It is shown that a two-band approximation for the electronic structure of an insulating layer makes it possible to explain an anomalous W-like shape of barrier characteristics for semimetal−insulator−metal tunnel junctions. High-pressure tunneling experiments that may definitely answer the question concerning correspondence of tunnel spectrum features to details of the band structure of semiconducting electrodes are proposed and discussed. |
|
| Date |
2014-11-04T06:50:34Z
2014-11-04T06:50:34Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние валентной зоны изолятора на барьерные характеристики туннельных контактов полуметалл−изолятор−металл / Т.А. Хачатурова, М.А. Белоголовский, А.И. Хачатуров // Физика и техника высоких давлений. — 2007. — Т. 17, № 4. — С. 41-45. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 73.40.Gk, 73.40.Rw http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70383 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
| Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|