Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
|
|
| Creator |
Москаль, Д.С.
Надточий, В.А. |
|
| Description |
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.
Action of the laser pulse (τP = 1 ms, λ = 0.694 μm and energy ≤ 1 J) on the surface (111) of GaAs single crystal has been investigated. It was established that the process of defects formation is activated at shear strain up to ~ 100 MPa. Temperature and strain fields were determined by numerical solution of heat conduction equation for the case of pulsed laser irradiation of semiconductor surface. |
|
| Date |
2014-11-06T09:42:41Z
2014-11-06T09:42:41Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос.
0868-5924 PACS: 71.10.–W http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика и техника высоких давлений
|
|
| Publisher |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
|
|