Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
|
|
Creator |
Часнык, В.И.
Фесенко, И.П. |
|
Subject |
СВЧ-техника
|
|
Description |
Представлены результаты экспериментальных исследований теплопроводности и поглощения в композитах из нитрида алюминия с разным содержанием карбида кремния и молибдена. Показано, что наилучшим из рассмотренных материалов является композит, содержащий 46% карбида кремния и 4% молибдена. В этом случае одновременно обеспечивается высокий уровень поглощения СВЧ-энергии (42 дБ/см в диапазоне частот 9,510,5 ГГц) и высокая теплопроводность (65 Вт/(мК))
Представлено результати експериментальних досліджень теплопровідності та поглинання у композитах з нітриду алюмінію з різним вмістом карбіду кремнію та молібдену. Показано, що найкращим з розглянутих матеріалів є композит, що містить 46% карбіду кремнію та 4% молібдену. У цьому випадку одночасно забезпечується високий рівень поглинання НВЧ-енергії (42 дБ/см у діапазоні частот 9,5—10,5 ГГц) та висока теплопровідність (65 Вт/(м∙К)). The paper presents the results of experimental studies of thermal conductivity and microwave absorption in aluminum nitride based composites with different percentages of silicium carbide and molybdenum. It is shown that the optimal composition of the studied materials is the composite with 46% of silicium carbide and 4% of molybdenum. This composition reveals high UHF-energy absorption level of 42 dB/cm in the frequency range of 9.5—10.5 GHz and high thermal conductivity of 65 W/(m∙K). |
|
Date |
2014-11-07T20:12:46Z
2014-11-07T20:12:46Z 2014 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена / В.И. Часнык, И.П. Фесенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 11-14. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70535 621.315:615.5 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|