Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
|
|
| Creator |
Марьянчук, П.Д.
Дымко, Л.Н. Романишин, Т.Р. Ковалюк, Т.Т. Брус, В.В. Солован, М.Н. Мостовой, А.И. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость электропроводности образцов имеет полупроводниковый характер, а температурная зависимость коэффициента Холла свидетельствует о смешанном типе проводимости. Особенности магнитных свойств обусловлены наличием в кристаллах кластеров типа Mn—Тe—Mn—Тe, в которых между атомами Mn через атомы халькогена осуществляется косвенное обменное взаимодействие антиферромагнитного характера. На основе проведенных исследований определены зонные параметры и построена схема зонной структуры кристаллов с концентрацией атомов марганца около 10²⁰ см⁻³.
В результаті досліджень магнітних, кінетичних і оптичних властивостей кристалів (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x=0,5) встановлено, що в них мають місце прямі міжзонні оптичні переходи. Температурна залежність електропровідності зразків має напівпровідниковий характер, а температурна залежність коефіцієнта Холла свідчить про змішаний тип провідності. Особливості магнітних властивостей обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn—Тe—Mn—Тe, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється опосередкована обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Визначено зонні параметри і побудовано схему зонної структури для кристалів з концентрацією атомів марганцю приблизно 10²⁰ см⁻³. This paper presents the results of the analysis of magnetic, optical, kinetic properties and band parameters of (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x crystals doped by manganese. |
|
| Date |
2014-11-08T10:36:07Z
2014-11-08T10:36:07Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем / П.Д. Марьянчук, Л.Н. Дымко, Т.Р. Романишин, Т.Т. Ковалюк, В.В. Брус, М.Н. Солован, А.И. Мостовой // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 54-60. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70557 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|