Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
|
|
| Creator |
Вакив, Н.М.
Круковский, С.И. Ларкин, С.Ю. Авксентьев, А.Ю. Круковский, Р.С. |
|
| Subject |
Материалы электроники
|
|
| Description |
Разработан способ формирования качественных гетерограниц в системе p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в условиях непрерывного роста при изменении температуры кристаллизации от 600 до 760°С. Установлено, что режим формирования слоя твердого раствора p⁺-AlGaAs:Zn на поверхности слоя n-GaAs:Si при повышении температуры в указанном интервале со скоростью 8—10°С/мин позволяет получить резкую границу раздела между слоями р- и n-типа проводимости. Такой способ формирования резких гетерограниц в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si может быть использован для изготовления широкой номенклатуры эпитаксиальных структур.
Розроблено спосіб формування якісних гетеромеж в системі p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОСVD в умовах безперервного вирощування при зростанні температури кристалізації від 600 до 760°С. Встановлено, що режим формування шару твердого розчину р⁺-AlGaAs:Zn на поверхні шару n-GaAs:Si при підвищенні температури в зазначеному інтервалі зі швидкістю 8—10°С/хв дозволяє отримати різку межу розділу між шарами р- та n-типу провідності. Такий спосіб формування різких гетеромеж в системах р-GaAs:Zn/n-GaAs:Si може бути використаний для виготовлення широкої номенклатури епітаксійних структур. The complexity of forming sharp and high-quality boundaries in p⁺AlGaAs/n-GaAs systems by MOCVD method is caused by differing on 80—120°С optimal crystallization temperature of GaAs layers and n-AlGaAs solid solutions. A method of forming qualitative hetero boundaries under conditions of continuous growth at changing crystallization temperature from 600—700°C has been developed. It has been determined that the crystallization of p⁺-AlGaAs: Zn solid solution layer on the surface of n-GaAs:Si layer, with increasing the crystallization temperature in the temperature range of 600—760°C at a rate 8—10°C/min allows to crystallize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial structures. |
|
| Date |
2014-11-08T10:38:25Z
2014-11-08T10:38:25Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p⁺-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, С.Ю. Ларкин, А.Ю. Авксентьев, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 61-66. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70558 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|