Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
|
|
| Creator |
Будзуляк, С.И.
Корбутяк, Д.В. Лоцько, А.П. Вахняк, Н.Д. Калитчук, С.М. Демчина, Л.А. Конакова, Р.В. Шинкаренко, В.В. Мельничук, А.В. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Методом низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние микроволнового излучения на трансформацию примесно-дефектных комплексов в монокристаллах CdTe:Cl. Показано, что активированные микроволновым облучением продолжительностью 10 с донорные центры СlTe и акцепторные центры VCd, имеющиеся в образцах, создают эффективные условия для формирования дефектных центров (VСd—СlTe), на которых связываются экситоны. Детальные исследования формы полосы фотолюминесценции донорно-акцепторных пар монокристаллов СdTe:Cl позволили определить зависимость параметра электрон-фононного взаимодействия (фактор Хуанга—Рис) от времени облучения.
Методом низькотемпературної фотолюмінесценції досліджено вплив мікрохвильового випромінювання на трансформацію домішково-дефектних комплексів в монокристалах CdTe:Cl. Показано, що активовані мікрохвильовим опроміненням тривалістю 10 с донорні центри СlTe і акцепторні центри VCd, наявні в зразках, створюють ефективні умови для формування дефектних центрів (VCd—СlTe), на яких зв'язуються екситони. Детальні дослідження форми смуги донорно-акцепторних пар монокристалів СdTe:Cl дозволили визначити параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга—Рис) в залежності від часу опромінення. The effect of microwave irradiation on transformation of impurity-defect complexes in CdTe:Cl single crystals was investigated using low-temperature photoluminescence. It is shown that activation of СlTe donor centers by microwave irradiation for 10 s and presence of VCd acceptor centers in the specimens under investigation effectively facilitate formation of (VСd–СlTe) defect centers at which excitons are bound. |
|
| Date |
2014-11-08T13:37:54Z
2014-11-08T13:37:54Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения / С.И. Будзуляк, Д.В. Корбутяк, А.П. Лоцько, Н.Д. Вахняк, С.М. Калитчук, Л.А. Демчина, Р.В. Конакова, В.В. Шинкаренко, А.В. Мельничук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 4. — С. 45-49. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70571 53.097, 535.241.5 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|