Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС
|
|
| Creator |
Пилипенко, В.А.
Пономарь, В.Н. Петлицкая, Т.В. |
|
| Subject |
Проектирование. Конструирование
|
|
| Description |
Предложен вариант комбинированного конденсаторного диэлектрика на основе пентаоксида тантала для конденсаторов СБИС. Для поиска оптимального сочетания слоев, при котором система Si — SiO₂ — Ta₂O₅ не испытывает упругой механической деформации, была построена модель упругих напряжений. Расчет показал, что при соотношении толщины пленок Ta₂O₅ и SiO₂ как 1:10 радиус кривизны пластины со сформированными диэлектриками стремится к бесконечности, а сама кривизна – к нулю. Рассчитаны упругие постоянные для пленки Ta₂O₅.
Owing to rise in VLSIC integration, searching for new materials for VLSIC capacitor becomes significant. There was proposed a version of combined capacitor dielectric for VLSIC capacitors on basis of tantalum pentaoxide. Pentaoxide of tantalum has a very high permittivity and good technological compatibility with silicon oxide. The peculiarity of two-layer combined dielectric SiO₂—Ta₂O₅ is that the polarity of voltages development in the systems Si—SiO₂ and Si—Ta₂O₅ has different values. To find an optimal combination of layers when the system does not experience mechanical elastic deformation, there was built a model of elastic stresses in the system Si—SiO₂—Ta₂O₅. The calculations showed, when width of Ta₂O₅ and SiO₂ are in the ratio 1:10, wafer radius of curvature with formed dielectrics approaches infinity, the curvature itself – zero. Besides that, based on experimental data and by means of mathematical mode, there were calculated elastic constants for Ta₂O₅ film. |
|
| Date |
2014-11-08T17:06:09Z
2014-11-08T17:06:09Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Учет механических напряжений в комбинированных диэлектриках для конденсаторов СБИС / В.А. Пилипенко, В.Н. Пономарь, Т.В. Петлицкая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 19-20. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70589 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|