Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
|
|
| Creator |
Андронова, Е.В.
Баганов, Е.А. Далечин, А.Ю. Карманный, А.Ю. |
|
| Subject |
Термофотовольтаика
|
|
| Description |
Исследовано влияние поглощения излучения в квантовых точках (КТ) InSb на эффективность термофотовольтаических (ТФВ) элементов на основе GaSb. Показано, что введение КТ позволяет значительно расширить спектральный диапазон фоточувствительности и повысить эффективность ТФВ-элементов. Анализ оптических переходов в КТ InSb, а также зависимости термодинамической эффективности ТФВ-элемента от размеров КТ позволил определить оптимальный тип проводимости, уровень легирования материала матрицы, а также выбрать оптимальный диаметр КТ.
The investigation results of influence of InSb quantum dots photon absorbtion on GaSb termophotovoltaic cells efficiency are presented. It is shown, that quantum dots introduction allows to expand a spectral range of photosensivity considerably and, thus, to increase efficency of thermophotovoltaic cells. The analysis of optical transitions in InSb quantum dots and dependences of thermophotovoltaic cells efficiency on the quantum dots sizes had allowed to determine optimum type of conductivity and doping level of a matrix material and also to determine optimum quantum dots diameter. |
|
| Date |
2014-11-08T17:20:45Z
2014-11-08T17:20:45Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb / Е.В. Андронова, Е.А. Баганов, А.Ю. Далечин, А.Ю. Карманный // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 46-48. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70598 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|