Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
|
|
Creator |
Казаков, А.И.
Андриянов, А.В. Миронов, В.С. Поляруш, О.В. |
|
Subject |
Материалы электроники
|
|
Description |
Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэлектрическими характеристиками в широком частотном диапазоне. Результаты расчета использовались для оптимизации параметров тонкопленочных излучателей с диэлектрической пленкой системы HfO₂—Nd₂O₃.
The calculation technique of film parameters of multicomponent system HfO₂—Nd₂O₃, obtained electron beam evaporation in vacuum, with non-uniform distribution of components on thickness is offered. The calculation data well correlate with results of experiment, that allows to obtained of a film with given dielectrical characteristics in a wide frequency range. The calculation results were used for optimization of parameters thin-film emitter with the dielectrical film of system HHfO₂—Nd₂O₃. |
|
Date |
2014-11-08T17:24:47Z
2014-11-08T17:24:47Z 2003 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600 |
|
Language |
ru
|
|
Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|