Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
|
|
| Creator |
Мамедов, А.К.
|
|
| Subject |
Проектирование. Конструирование
|
|
| Description |
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.
Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices. |
|
| Date |
2014-11-09T07:15:40Z
2014-11-09T07:15:40Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70604 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|