Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
|
|
| Creator |
Колежук, К.В.
Комащенко, В.Н. Шереметова, Г.И. Бобренко, Ю.Н. |
|
| Subject |
Оптоэлектроника
|
|
| Description |
Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.
We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate. |
|
| Date |
2014-11-09T07:37:55Z
2014-11-09T07:37:55Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ / К.В. Колежук, В.Н. Комащенко, Г.И. Шереметова, Ю.Н. Бобренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 49-50. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70614 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|