Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
|
|
| Creator |
Босый, В.И.
Иващук, А.В. Ковальчук, В.Н. Семашко, Е.М. |
|
| Subject |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
|
|
| Description |
Представлен обзор опубликованных в последние годы результатов по созданию мощных СВЧ-транзисторов на основе гетероструктур AlGaN/GaN. Рассмотрены вопросы конструкции и технологии изготовления данных транзисторов, результаты исследований влияния подложки на характеристики приборов. Показано, что НЕМТ на основе гетероструктур AlGaN/GaN могут обеспечивать 5—10-кратное увеличение удельной мощности (≥10 Вт/мм) при кпд до 60%, увеличение рабочих температур, повышение надежности по сравнению с приборами на основе GaAs.
The review of the outcomes, published per last years, on creation of UHF power transistors on AlGaN/GaN heterostructures is submitted. The problems of a design and technology of manufacturing of the transistors as well as an influence of a substrate on the characteristics of devices are surveyed. Is exhibited, that AlGaN/GaN НЕМТs can provide (5-10) multiple increases of power density (≥10 W/mm) at an efficiency up to 60 %, increase of operation temperatures, reliability increasing as compared to GaAs devices. |
|
| Date |
2014-11-09T11:39:17Z
2014-11-09T11:39:17Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников / В.И. Босый, А.В. Иващук, В.Н. Ковальчук, Е.М. Семашко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 53-58. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70641 621.382.323 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|