Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков
|
|
| Creator |
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М. Иващенко, А.Н. Босый, В.И. Максименко, А.Г. Сапон, С.В. |
|
| Subject |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
|
|
| Description |
Представлены кремниевые диодные сенсоры температуры нового поколения. Разработанные температурные сенсоры характеризуют высокая точность измерения в широком диапазоне температур, высокая взаимозаменяемость, низкое энергопотребление, малая масса, способность эффективно функционировать в условиях комбинированного воздействия низких и высоких температур, термоциклов, механических ударов и вибраций, климатических факторов, высокой радиации и т. д.
We have developed the new type of the silicon diode temperature sensors (DTSs) with advanced characteristics on the base of highly doped p-n silicon structures. The industrial technology of manufacturing such type of structures with minimized leakage and generation-recombination currents (almost ideal diode) have provided to make the advanced diode temperature sensors for extreme electronics. The design and assembly technology for the DTSs has been developed with making use of laser engineering for the package production. |
|
| Date |
2014-11-09T11:41:46Z
2014-11-09T11:41:46Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Новое поколение микроэлектронных кремниевых термодатчиков / Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, А.Н. Иващенко, В.И. Босый, А.Г. Максименко, С.В. Сапон // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 59-61. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70642 536.53 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|