Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях
|
|
| Creator |
Москалюк, В.А.
Тимофеев, В.И. Иващук, А.В. |
|
| Subject |
Твердотельная СВЧ-микроэлектроника
|
|
| Description |
Предложен способ аналитического расчета времен релаксации концентрации, импульса и энергии для GaAs в сильных электрических полях для моделирования динамических процессов с помощью соответствующих уравнений баланса.
The method of analytical calculation of the relaxation times of concentration, pulse and energy for GaAs in strong electric fields for modeling dynamic processes with the help of the appropriate equations of the balance is offered. |
|
| Date |
2014-11-09T11:43:33Z
2014-11-09T11:43:33Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Расчет релаксационных параметров GaAs в сильных полях / В.А. Москалюк, В.И. Тимофеев, А.В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 3. — С. 61-64. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70643 621.382.323 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|