Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
|
|
| Creator |
Викулин, И.М.
Курмашев, Ш.Д. Сидорец, Р.Г. Туманов, Ю.Г. |
|
| Subject |
Оптоэлектроника
|
|
| Description |
Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.
The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase. |
|
| Date |
2014-11-09T19:02:01Z
2014-11-09T19:02:01Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70654 621.382.4 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|