Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
|
|
| Creator |
Кондрик, А.И.
Ковтун, Г.П. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CСdTe) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (CСdTe=1) до 1,8 эВ (CСdTe"0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (соответствующее CСdTe"0,5) существенно не влияет на величину Eg0.
|
|
| Date |
2014-11-11T14:52:59Z
2014-11-11T14:52:59Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений / А.И. Кондрик, Г.П. Ковтун // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 3-6. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70708 621.315.592:546.28 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|