Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
|
|
| Creator |
Марончук, И.Е.
Курак, В.В. Андронова, Е.В. Баганов, Е.А. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Рассмотрены особенности выращивания гетероструктур GaSb/InAs из жидкой фазы. Предложен модифицированный метод импульсного охлаждения раствора-расплава, позволяющий избежать растворения подложки InAs при контакте с неравновесной ей жидкой фазой Ga+Sb. Показано, что при отсутствии растворения подложки раствором-расплавом образование твердых растворов InGaAsSb в процессе роста эпитаксиального слоя GaSb не происходит, поскольку твердофазное растворение GaSb подложкой InAs является энергетически невыгодным.
|
|
| Date |
2014-11-11T14:54:37Z
2014-11-11T14:54:37Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки / И.Е. Марончук, В.В. Курак, Е.В. Андронова, Е.А. Баганов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 6-9. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70709 621.362:621.383 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|