Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров
|
|
| Creator |
Дружинин, А.А.
Марьямова, И.И. Матвиенко, С.Н. Хорвенко, Ю.Н. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Исследованы образцы поликремния р-типа на диэлектрических подложках в диапазоне температур 4,2-300 К и магнитных полях до 14 Тл, а также влияние деформации на их сопротивление. Показано, что слаболегированные нерекристаллизованные поли-Si-резисторы (2,4·10¹⁸ см⁻³) могут быть рекомендованы в качестве высокочувствительных терморезисторов. Для пьезорезистивных сенсоров механических величин рекомендуются сильнолегированные, рекристаллизованные лазером поли-Si-резисторы (~1,7·10²⁰ см⁻³). Они же являются наиболее стабильными к влиянию сильных магнитных полей.
|
|
| Date |
2014-11-11T14:56:15Z
2014-11-11T14:56:15Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование свойств слоев поликремния на изоляторе при криогенных температурах для создания сенсоров / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, С.Н. Матвиенко, Ю.Н. Хорвенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 10-13. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70710 625.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|