Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия
|
|
| Creator |
Мокрицкий, В.А.
Гаркавенко, А.С. Зубарев, В.В. Ленков, С.В. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Выполнено экспериментальное исследование возможности получения слоев с дырочной проводимостью в монокристаллах CdS и GaAs с помощью радиационного легирования. Для этого использован моноэнергетический поток быстрых нейтронов с энергией 14,5 МэВ. Измерения подтвердили возникновение подобных слоев. Описаны ядерные реакции, происходящие в кристаллах при воздействии нейтронов и приводящие к легированию акцепторами. На основе созданного таким путем р-n-перехода в CdS изготовлен светодиод и планируется изготовление и исследование инжекционного лазера.
|
|
| Date |
2014-11-11T14:57:52Z
2014-11-11T14:57:52Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Радиационное легирование сульфида кадмия и арсенида галлия / В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, С.В. Ленков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 14-17. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70711 536.84 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|