Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов
|
|
| Creator |
Емцев, П.А.
|
|
| Subject |
Функциональная микроэлектроника
|
|
| Description |
Рассмотрены вопросы моделирования транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT). Изложены требования к модели НЕМТ. Описаны наиболее распространенные типы моделей: малосигнальные, шумовые, нелинейные и распределенные. Описан алгоритм экстракции параметров малосигнальной модели. Даны ссылки на источники, в которых описаны алгоритмы экстракции параметров для шумовых и нелинейных моделей. Приведены рекомендации по выбору модели транзистора для проектирования конкретных устройств. Поставлена задача разработки универсальной модели и внесения соответствующих изменений в программное обеспечение.
|
|
| Date |
2014-11-11T15:00:32Z
2014-11-11T15:00:32Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Моделирование транзисторов с высокой подвижностью электронов / П.А. Емцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 20-26. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70713 621.382.3 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|