Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
|
|
| Creator |
Круковский, С.И.
Николаенко, Ю.Е. |
|
| Subject |
Энергетическая микроэлектроника
|
|
| Description |
Cообщается об изготовлении и исследовании тандемных солнечных элементов на основе GaAs-InGaAs-AlGaAs с активной площадью 0,93 см². Туннельный переход применяется для соединения между собой верхней (AlGaAs) и нижней (InGaAs) ячеек тандемного солнечного элемента. Измеренные при спектральных условиях АМ 1,5 (1 солнце) значения плотности фототока и напряжения холостого хода достигали значений 14,2-15,1 мА/см² и 2,35-2,43 В, соответственно, а коэффициент полезного действия - 26,4-30,1%.
|
|
| Date |
2014-11-11T15:06:19Z
2014-11-11T15:06:19Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs / С.И. Круковский, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 6. — С. 39-40. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70717 621.383 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|