Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe"
|
|
| Creator |
Косяченко, Л.А.
Марков, А.В. Остапов, С.Э. Раренко, И.М. |
|
| Subject |
Материалы для микроэлектроники
|
|
| Description |
Решено уравнение Пуассона для контакта "металл—узкозонный полупроводник HgMnTe" и исследованы особенности распределения потенциала, напряженности электрического поля и плотности заряда. Показано, что при сужении запрещенной зоны становится существенным влияние свободных носителей. Результаты могут быть использованы для расчетов параметров детекторов инфракрасного излучения в диапазонах 3—5 и 8—14 мкм.
The Poisson equation for Schottky barrier has been solved by numerical methods, and the peculiarities of distribution of space charge, field strength and potential have been considered. It has been shown that with the band-gap narrowing the influence of free carriers on distribution of space charge is essential that leads to departure of the relation-ship of potential from the quadratic law and field strength from linear one. The results can be used for analysis of the characteristics of IR detectors for the 3-5 and 8-14 mm spectral regions. |
|
| Date |
2014-11-12T07:43:37Z
2014-11-12T07:43:37Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование контакта "металл—полупроводник на основе НgMnTe" / Л.А. Косяченко, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 3-5. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70766 546.711.49 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|