Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
|
|
| Creator |
Николаенко, Ю.Е.
Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Рыбак, О.В. Мрыхин, И.А. |
|
| Subject |
Энергетическая микроэлектроника
|
|
| Description |
Рассмотрены технологические особенности получения многослойных гетероструктур в системе GaAs—InGaAs—AlGaAs c тремя р—n-переходами методом ЖФЭ. Гетероструктуры предназначены для изготовления высокоэффективных фотопреобразователей солнечной энергии космического базирования. Особенностью гетероструктур является наличие в их составе лавинного диода, соединяющего узкозонный и широкозонный р—n-переходы. Исследуются электрофизические характеристики слоев AlGaAs, легированных Mg и Bi. При-ведены результаты исследований тандемной гетероструктуры с использованием растровой электронной микроскопии.
The technological features of reception multi-layers heterostructures in systems GaAs-InGaAs-AlGaAs with three р—n by transitions, method LPE are considered. Heterostructures are intended for manufacturing highly effective photoconverters of a solar energy of space basing. Feature heterostructures are the presence in their structure avalanche of the diode connecting narrow-gap and wide-gap р—n by transitions. The electrophysical characteristics of layers AlGaAs alloyed Mg and Bi were investigated. The results of researches tandem heterostructure with use scanning electron microscopy are given. |
|
| Date |
2014-11-12T07:52:19Z
2014-11-12T07:52:19Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии / Ю.Е. Николаенко, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, О.В. Рыбак, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 27-29. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70770 621.383 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|