Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
|
|
| Creator |
Вакив, Н.М.
Круковский, С.И. Завербный, И.Р. Мрыхин, И.А. |
|
| Subject |
Сенсоэлектроника
|
|
| Description |
Рассматриваются особенности получения эпитаксиальных структур п. и.-GaAs—n-GaAs: Sn для датчиков Холла методом низкотемпературной “висмутовой” жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). На основе этих структур изготовлены датчики Холла, имеющие низкие температурные коэффициенты холловского (0,08%/К) и остаточного (0,1мкВ/К) напряжения, а также высокую нормированную чувствительность (~150 В/А·Т). Сравнение однородности эпитаксиальных структур, изготовленных методами ГФЭ, МОС-гидридной эпитаксией и ЖФЭ показало, что наиболее однородными по толщине и концентрации являются структуры, выращенные низкотемпературной “висмутовой” ЖФЭ.
Some problems to obtain epitaxy structures SI GaAs -n-GaAsSn for Hall sensors by low temperature "bismuth" LPE method are considered. The Hall sensors with low temperature coefficients of Hall's (0,08%/K) and residual tension (0,1 mcV/K) and high normal sensitivity (~150 V/A·T) are produced on a base of the structures considered. A homogenous comparison of epitaxy structures produced by VPE, MOCVD and LPE demonstrated the most homogenous by width and concentration are the structures produced by low temperature "bismuth" LPE. |
|
| Date |
2014-11-12T07:56:00Z
2014-11-12T07:56:00Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, И.Р. Завербный, И.А. Мрыхин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 3. — С. 34-37. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70772 537.311.8:621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|