Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе
|
|
| Creator |
Касимов, Ф.Д.
Лютфалибекова, А.Э. |
|
| Subject |
Электронная аппаратура: исследования, разработки
|
|
| Description |
Моделированием и экспериментальными исследованиями показано, что увеличение тока на несколько порядков в канале арсенидгаллиевого полевого транзистора под влиянием γ-излучения обусловлено появлением в подложке вторичных токов, сравнимых с токами в пленке.
|
|
| Date |
2014-11-13T06:05:22Z
2014-11-13T06:05:22Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние γ-излучения на токоперенос в арсенидгаллиевом полевом транзисторе / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 13-15. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70781 621.315.592 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|