Запис Детальніше

Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем
 
Creator Искендер-заде, З.А.
Касимов, Ф.Д.
Исмайлова, С.А.
 
Subject Технология производства
 
Description Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.
 
Date 2014-11-13T06:16:53Z
2014-11-13T06:16:53Z
2002
 
Type Article
 
Identifier Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем / З.А. Искендер-заде, Ф.Д. Касимов, С.А. Исмайлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 4-5. — С. 40-42. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
2225-5818
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70789
621.382.002
 
Language ru
 
Relation Технология и конструирование в электронной аппаратуре
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України